[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种制造半导体装置的方法及其半导体装置。其中所述方法包括：提供衬底，并在衬底中形成阱区；在阱区上形成至少一个第一栅极结构，其中第一栅极结构包括栅极绝缘层以及形成在栅极绝缘层上的呈第一闭合图形的第一栅极；在处于第一闭合图形内的第一区域进行离子注入，以形成具有第一导电类型的区域；在处于第一闭合图形外的第二区域进行离子注入，以形成具有第二导电类型的区域，其中第一导电类型和第二导电类型不同。通过所述方法制造的半导体装置，能够在保持与长条纹型栅控二极管相同ESD保护能力的同时，降低寄生电容，从而提高了射频电路的电路性能。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：提供衬底，并在衬底中形成阱区；在阱区上形成至少一个第一栅极结构，其中第一栅极结构包括栅极绝缘层以及形成在栅极绝缘层上的第一栅极，其中在阱区表面上所述第一栅极呈第一闭合图形，从而限定处于第一闭合图形内的第一区域和第一闭合图形外的第二区域；在第一区域内进行离子注入，以形成具有第一导电类型的区域；以及在第二区域内进行离子注入，以形成具有第二导电类型的区域，其中第一导电类型和第二导电类型不同；其中，所述方法还包括：在阱区上还形成与所述第一栅极结构间隔开的第二栅极结构，所述第二栅极结构包括栅极绝缘层以及在栅极绝缘层上的第二栅极，在阱区表面上所述第二栅极呈第二闭合图形并被所述第一区域所围绕，从而限定处于第二闭合图形内的第三区域；在第三区域内进行离子注入，以形成具有第二导电类型的区域；以及在第三区域中形成隔离区域，所述隔离区域与所述第三区域的边界间隔开。