[发明专利]制造纳米级结构的方法和由此制造的纳米级结构有效
| 申请号： | 201410171189.0 | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN104681717B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 潘槿道;卜喆圭;金明洙;李政衡;沈炫冏;吴昌一 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L21/8239;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了制造纳米级结构的方法。所述方法包括以下步骤：在密集区中形成与第一开口相对应的第一硬掩模图案；在第一硬掩模图案上与第一开口对准形成第一引导元件；以及在稀疏区中形成第二硬掩模图案以提供隔离图案。在稀疏区中形成阻挡层以覆盖第二硬掩模图案。利用嵌段共聚物层的相分离而在密集区中形成第一畴和第二畴。也提供了相关的纳米级结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 纳米 结构 方法 由此 | ||
【主权项】：
1.一种制造纳米级结构的方法，所述方法包括以下步骤：在硬掩模层上形成限定第一开口的第一初级掩模图案、和提供隔离图案的第二初级掩模图案；在所述第一开口的侧壁上形成第一引导元件，并且在第二初级掩模图案的侧壁上形成第二引导元件；利用所述第一引导元件和所述第二引导元件以及所述第一初级掩模图案和所述第二初级掩模图案作为刻蚀掩模来刻蚀所述硬掩模层，以形成所述第一开口延伸于其中的第一硬掩模图案、和具有所述隔离图案的形状的第二硬掩模图案；去除所述第一初级掩模图案和所述第二初级掩模图案；形成覆盖所述第二硬掩模图案的阻挡层；形成嵌段共聚物层，所述嵌段共聚物层填充具有由所述第一引导元件限定的侧壁的所述第一开口和在所述第一引导元件之间的空间；以及将所述嵌段共聚物层相分离，以在所述第一引导元件之间的空间中形成第一畴和第二畴。
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