[发明专利]磁控溅射环、磁控溅射环装置及磁控溅射反应器在审
| 申请号： | 201410171588.7 | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN105088155A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;赵凯;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;吴剑波 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏;骆苏华 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种磁控溅射环、磁控溅射环装置及磁控溅射反应器。其中，磁控溅射环包括内环侧壁和外环侧壁，所述内环侧壁具有凸台结构。应用本发明的磁控溅射环可以提高磁控溅射环被溅射的时间，从而减少附着在磁控溅射环装置表面的溅射材料以颗粒形式掉落至基板上，进而提高基片成膜质量。另外，本发明的磁控溅射环的使用寿命高。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 装置 反应器 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射环，所述磁控溅射环包括内环侧壁和外环侧壁，其特征在于，所述内环侧壁具有凸台结构。
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