[发明专利]干法刻蚀方法有效
| 申请号： | 201410171759.6 | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN103996621B | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 丁向前;刘耀;陈曦;李梁梁;白金超;刘晓伟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种干法刻蚀方法，该干法刻蚀方法包括在对第一介质层进行刻蚀后，向反应腔室通入第二反应气体，在第二射频功率的激发下所述第二反应气体形成等离子体，以使由第二反应气体形成的等离子体与反应腔室内的颗粒污染物结合；对所述反应腔室进行抽真空处理；对位于所述第一介质层下方的第二介质层进行刻蚀，本发明的技术方案可有效的避免在执行“转换步骤”过程中颗粒污染物掉落在玻璃基板上，同时，提高了抽真空的效率，减少了反应腔室内颗粒污染物的数量。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种干法刻蚀方法，其特征在于，包括：在对第一介质层进行刻蚀后，向反应腔室通入第二反应气体，在第二射频功率的激发下所述第二反应气体形成等离子体，以使由第二反应气体形成的等离子体与反应腔室内的颗粒污染物结合,保证反应腔室内的颗粒污染物处于悬浮状态；对所述反应腔室进行抽真空处理；对位于所述第一介质层下方的第二介质层进行刻蚀；所述对位于所述第一介质层下方的第二介质层进行刻蚀包括：向所述反应腔室通入第三反应气体，在第三射频功率的激发下第三反应气体形成等离子体，以使由第三反应气体形成的等离子体对第二介质层进行刻蚀；所述第三射频功率大于所述第二射频功率；所述第二反应气体与所述第三反应气体相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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