[发明专利]一种对沉积薄膜反应装置的处理方法、薄膜沉积方法有效
| 申请号： | 201410171811.8 | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN105088175B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 蒙韬;汪军;李泓博;姚建裕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00;B08B9/08 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种对沉积薄膜反应装置的处理方法，包括：对所述反应装置进行干法清洗；其中，在所述干法清洗中通过增加清洗时间，和/或提高清洗气体浓度，和/或在所述清洗中保持平稳的温度，以将所述反应装置中残留的薄膜完全清除。本发明还提供了一种薄膜沉积方法，包括在薄膜沉积之前对所述反应装置进行干法清洗；其中，在所述干法清洗中通过增加清洗时间，和/或提高清洗气体浓度，和/或在所述清洗中选用平稳的温度，以将所述反应装置中沉积的颗粒完全清除。通过本发明所述方法沉积薄膜，所述薄膜的表面更加平整，表面的颗粒缺陷极大的降低，提高了薄膜的良率和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沉积 薄膜 反应 装置 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对沉积薄膜反应装置的处理方法，包括：对所述反应装置进行干法清洗；其中，在所述干法清洗中通过增加清洗时间，或在所述干法清洗中通过增加清洗时间和提高清洗气体浓度，或在所述干法清洗中通过增加清洗时间和在所述清洗中保持平稳的温度，或在所述干法清洗中通过增加清洗时间和提高清洗气体浓度以及在所述清洗中保持平稳的温度，以将所述反应装置中残留的薄膜完全清除，以去除沉积薄膜表面的颗粒缺陷；增加清洗时间之后所述干法清洗包括第一清洗步骤、第二清洗步骤和第三清洗步骤；其中，所述第一清洗步骤选用HF，清洗时间为25‑35min；所述第二清洗步骤选用HF，清洗时间为35‑45min；所述第三清洗步骤选用HF和F2，清洗时间为30‑40min。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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