[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制作方法和电子装置。根据本发明的制作方法同时提高了嵌入式闪存存储器的耦合率、数据保留能力和击穿性能；提高了嵌入式闪存存储器的稳定性和可靠性；容易地实现逻辑电路区域阶梯高度的控制。

主权项

1.一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有硬掩膜层，所述硬掩膜层包括依次层叠的垫氧化物层和氮化物层；刻蚀所述硬掩膜层和所述半导体衬底，以形成浅沟槽；在所述浅沟槽中填充第一隔离材料层，通过平坦化工艺使得所述第一隔离材料层的表面与所述硬掩膜的表面齐平，其中，所述第一隔离材料层的材料包括二氧化硅；回刻蚀去除部分的所述第一隔离材料层，剩余的所述第一隔离材料层和所述半导体衬底的表面齐平或者剩余的所述第一隔离材料层比所述半导体衬底的表面高；在剩余的所述第一隔离材料层上形成隔离层，其中，所述隔离层的材料包括氮化硅；在所述隔离层上形成第二隔离材料层，所述第二隔离材料层的表面和所述硬掩膜层的表面齐平；去除所述氮化物层和所述垫氧化物层，以露出所述半导体衬底；在露出的所述半导体衬底上形成隧穿氧化物层；在所述隧穿氧化物层上形成浮置栅极材料层，通过平坦化工艺使得所述浮置栅极材料层的表面和所述第二隔离材料层的表面齐平，其中，所述浮置栅极材料层的材料包括多晶硅；去除所述第二隔离材料层，以露出所述隔离层；在所述半导体衬底上依次形成介电层和控制栅极材料层。