[发明专利]复合腔体及其形成方法

摘要

本发明提供一种复合腔体的形成方法，包括步骤：提供硅衬底；在其正面形成氧化层；对氧化层作图形化，形成一个或多个凹槽，凹槽的位置与待形成的小腔体的位置对应；提供键合片，将其与图形化的氧化层键合，在硅衬底与键合片之间形成一个或多个密闭的微腔结构；在键合片的上方形成保护膜，并在硅衬底的背面形成掩蔽层；对掩蔽层作图形化，掩蔽层的图形与待形成的大腔体的位置对应；以掩蔽层为掩模，从背面刻蚀硅衬底至其正面的氧化层，在硅衬底中形成大腔体；以掩蔽层和氧化层为掩模，从背面穿过硅衬底刻蚀键合片至其上方的保护膜，在键合片中形成一个或多个小腔体。本发明很好地控制了复合腔体中小腔体所在的半导体介质层的厚度均匀性。

主权项

一种复合腔体的形成方法，包括步骤：A.提供硅衬底(101)；B.在所述硅衬底(101)的正面形成二氧化硅层(102)；C.对所述二氧化硅层(102)作图形化，形成一个或多个凹槽(103)，所述凹槽(103)的位置与下述步骤H中待形成的小腔体(109)的位置相对应；D.提供键合片(104)，将所述键合片(104)与图形化的所述二氧化硅层(102)相键合，把所述凹槽(103)封闭，在所述硅衬底(101)与所述键合片(104)之间形成一个或多个密闭的微腔结构(105)；E.在所述键合片(104)的上方形成保护膜(106)，并在所述硅衬底(101)的背面形成掩蔽层(107)；F.对所述掩蔽层(107)作图形化，所述掩蔽层(107)的图形与下述步骤G中待形成的大腔体(108)的位置相对应；G.以所述掩蔽层(107)为掩模，从背面刻蚀所述硅衬底(101)至其正面的所述二氧化硅层(102)，在所述硅衬底(101)中形成所述大腔体(108)；H.以所述掩蔽层(107)和所述二氧化硅层(102)为掩模，从背面穿过所述硅衬底(101)刻蚀所述键合片(104)至其上方的所述保护膜(106)，在所述键合片(104)中形成一个或多个所述小腔体(109)，所述大腔体(108)和所述小腔体(109)构成了所述复合腔体。