[发明专利]半导体引线框架生产工艺有效
| 申请号： | 201410172417.6 | 申请日： | 2014-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103928351A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 李勇;李小建 | 申请（专利权）人： | 四川晶剑电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 方强 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体引线框架生产工艺，包括熔炼、连铸、连续挤压、开坯、强对流式退火、连续斜度轧制、展开式光亮退火、精整轧制、定位剪边、脱脂钝化、冲压、表面处理、切断成型和检片包装，其特征在于：所述在精整轧制和定位剪边两工序设置有连续开槽工序，连续开槽时，用开槽机进行精密开槽处理，开槽机的转速度为1800-2000r/min，冷却液流量为45-50L/min。该工艺的燕尾槽成型不会引起成型后带材宽度变化，成型后的半导体引线框架尺寸精确。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 引线 框架 生产工艺 | ||
【主权项】：
半导体引线框架生产工艺，包括熔炼、连铸、连续挤压、开坯、强对流式退火、连续斜度轧制、展开式光亮退火、精整轧制、定位剪边、脱脂钝化、冲压、表面处理、切断成型和检片包装，其特征在于：所述在精整轧制和定位剪边两工序设置有连续开槽工序，连续开槽时，用开槽机进行精密开槽处理，开槽机的转速度为1800‑2000 r/min，冷却液流量为 45‑50L/min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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