[发明专利]集成无源电容扇出型晶圆级封装结构及制作方法

摘要

本发明涉及一种集成无源电容扇出型晶圆级封装结构及制作方法，包括包括塑封体和芯片；其特征是：在所述塑封体中设置第一金属柱、第二金属柱、第三金属柱和第四金属柱，第一金属柱和第二金属柱位于芯片一侧，第三金属柱和第四金属柱位于芯片另一侧；在所述塑封体的正面设置绝缘层，在绝缘层中布置第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层，第一金属层与第一金属柱连接，第二金属层与第二金属柱和第一电极连接，第三金属层与第三金属柱和第二电极连接，第四金属层与第四金属柱连接；在四个金属层上分别设置凸点下金属层，在点下金属层的外表面分别设置焊球。本发明实现了扇出型芯片封装和薄膜集成无源被动器件的集成，提升了电学品质。

主权项

 一种集成无源电容扇出型晶圆级封装结构，包括扇出型封装体（1），扇出型封装体（1）包括塑封体（11）和塑封于塑封体（11）中的芯片（12），芯片（12）的正面具有第一电极（13）和第二电极（14），芯片（12）的正面与塑封体（11）的正面平齐；其特征是：在所述塑封体（11）中设置两组电容，分别为第一金属柱（21）、第二金属柱（22）、第三金属柱（23）和第四金属柱（24），第一金属柱（21）和第二金属柱（22）位于芯片（12）的一侧，第三金属柱（23）和第四金属柱（24）位于芯片（12）的另一侧；在所述塑封体（11）的正面设置绝缘层（3），在绝缘层（3）中布置第一金属层（41）、第二金属层（42）、第三金属层（43）和第四金属层（44），第一金属层（41）与第一金属柱（21）连接，第二金属层（42）与第二金属柱（21）和芯片（12）的第一电极（13）连接，第三金属层（43）与第三金属柱（23）和芯片（12）的第二电极（14）连接，第四金属层（44）与第四金属柱（24）连接；在所述第一金属层（41）、第二金属层（42）、第三金属层（43）和第四金属层（44）上分别设置第一凸点下金属层（51）、第二凸点下金属层（52）、第三凸点下金属层（53）和第四凸点下金属层（54），第一凸点下金属层（51）、第二凸点下金属层（52）、第三凸点下金属层（53）和第四凸点下金属层（54）的外表面露出绝缘层（3）的外表面，在第一凸点下金属层（51）、第二凸点下金属层（52）、第三凸点下金属层（53）和第四凸点下金属层（54）的外表面分别设置焊球（6）。