[发明专利]切割晶片的设备和方法、晶片吸盘、制造发光器件的方法有效
申请号: | 201410173244.X | 申请日: | 2014-04-28 |
公开(公告)号: | CN104124188B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 崔和燮;张有成;严泰荣;李智镐 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/78;H01L33/00;B28D5/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了切割晶片的设备和方法、晶片吸盘、制造发光器件的方法。晶片吸盘将晶片保持在其表面上,从而晶片的图像能够由被晶片吸盘的表面反射的光形成。晶片吸盘的表面为平坦表面,该表面具有等于或大于40%的反射率和/或等于或大于90的白度指数值。晶片吸盘可以包括含有铝氧化物的陶瓷,该铝氧化物具有等于或大于95%的纯度。晶片吸盘的平坦表面使得照射晶片吸盘的表面的光被晶片吸盘的表面反射穿过晶片。晶片吸盘可以与用于切割晶片的设备一起使用,并且由该表面反射的光可以用于形成晶片的图像,该晶片的图像用于识别晶片上的切割线。 | ||
搜索关键词: | 切割 晶片 设备 方法 吸盘 制造 发光 器件 | ||
【主权项】:
一种用于切割晶片的设备,包括:晶片吸盘,构造为将所述晶片保持在其表面上,其中所述晶片吸盘的其上保持所述晶片的表面具有等于或大于40%的反射率;光源,构造为照射所述晶片吸盘的表面;图像捕获装置,构造为根据由所述光源发射且被所述晶片吸盘的表面反射的光形成所述晶片的图像;处理器,构造为根据所形成的图像来确定所述晶片上的切割线的位置;以及切割组件,构造为沿着由所述处理器确定的所述切割线切割所述晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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