[发明专利]包括沟槽晶体管单元阵列的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的实施例公开了一种包括沟槽晶体管单元阵列的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括在硅半导体本体中的沟槽晶体管单元阵列，该硅半导体本体具有第一主表面以及与第一主表面相对的第二主表面。半导体本体的在第一主表面和第二主表面之间的主侧面具有沿着平行于第一和第二主表面的第一横向方向的第一长度。第一长度等于或者大于半导体本体的其它侧面的长度。沟槽晶体管单元阵列主要包括线性栅极沟槽部分。至少50％的线性栅极沟槽部分沿着第二横向方向或者垂直于第二横向方向延伸。第一和第二横向方向之间的角度在45°±15°范围内。

主权项

一种半导体器件，包括：在硅半导体本体中的沟槽晶体管单元阵列，所述硅半导体本体具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面；以及所述半导体本体的在所述第一主表面与所述第二主表面之间的主侧面具有沿着平行于所述第一主表面和所述第二主表面的第一横向方向的第一长度，其中所述第一长度等于或者大于所述半导体本体的其它侧面的长度，其中所述沟槽晶体管单元阵列主要包括线性栅极沟槽部分，并且至少50％的所述线性栅极沟槽部分沿着第二横向方向或者垂直于所述第二横向方向而延伸，所述第一横向方向和所述第二横向方向之间的角度在45°±15°范围内，其中所述半导体器件是分立的功率晶体管，所述功率晶体管具有至少0.5mm2的沟槽晶体管单元阵列的面积，其中所述半导体器件进一步包括接触焊盘，所述接触焊盘具有沿着所述第二横向方向延伸的边缘。