[发明专利]集成无源器件扇出型晶圆级封装三维堆叠结构及制作方法有效
| 申请号： | 201410174394.2 | 申请日： | 2014-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN103943614A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 孙鹏;何洪文 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/04 | 分类号： | H01L25/04;H01L21/98;H01L21/60 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区太湖国际科技园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成无源器件扇出型晶圆级封装三维堆叠结构及制作方法，包括IPD芯片和扇出型封装体，扇出型封装体包括塑封材料和芯片，IPD芯片包括玻璃基板及位于玻璃基板上的IPD器件和金属布线层，玻璃基板背面设有TGV孔，玻璃基板背面和TGV孔内表面设置背面金属布线层，背面金属布线层通过焊球连接PCB板。所述三维堆叠结构的制作方法，包括以下步骤：（1）扇出型封装体和玻璃基板的IPD芯片进行堆叠；（2）在IPD芯片背面刻蚀TGV孔，在玻璃基板的背面和TGV孔内表面制作背面金属布线层；（3）刻蚀背面金属布线层至所需图形，在背面金属布线层上制作焊盘和焊球，通过焊球连接PCB板。本发明实现了晶圆级扇出型芯片和IPD器件之间的短距离互连，提升电学质量。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 无源 器件 扇出型晶圆级 封装 三维 堆叠 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种集成无源器件扇出型晶圆级封装三维堆叠结构，其特征是：包括IPD芯片（3）和堆叠于IPD芯片（3）正面的扇出型封装体（2），扇出型封装体（2）包括塑封材料（12）和塑封于塑封材料（12）中的芯片（13）；所述IPD芯片（3）包括玻璃基板（4），在玻璃基板（4）的正面设置IPD器件（5）和连接IPD器件（5）的金属布线层（6）；所述IPD芯片（3）正面的金属布线层（6）与芯片（13）的芯片信号端口（11）连接；在所述玻璃基板（4）的背面刻蚀形成TGV孔（7），TGV孔（7）直达金属布线层（6）；在所述玻璃基板（4）的背面和TGV孔（7）的内表面设置背面金属布线层（8），背面金属布线层（8）分为相互绝缘的两部分，该两部分背面金属布线层（8）分别与金属布线层（6）连接，并分别在两部分背面金属布线层（8）的焊盘（9）上设置焊球（10），焊球（10）与PCB板（1）连接。
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