[发明专利]一种栅极侧墙减薄工艺

摘要

本发明提供了一种栅极侧墙减薄工艺，包括首先在半导体衬底上形成栅极和栅极侧墙之后，在整个半导体衬底上覆盖一层抗反射层，然后，采用光刻和刻蚀工艺，图案化抗反射层，再利用抗反射层为掩膜，采用干法刻蚀工艺，向下刻蚀侧墙，从而实现侧墙宽度的减薄；抗反射层覆盖在栅极和侧墙顶部，在减薄过程中，可以保护栅极和侧墙顶部不受到损伤，从而可以扩大工艺窗口，增加减薄的宽度，提高侧墙减薄效果。

主权项

一种栅极侧墙减薄工艺，其特征在于，包括：步骤S01：在半导体衬底上依次形成栅极和仅位于栅极两侧的栅极侧墙；步骤S02：在所述半导体衬底上覆盖一层抗反射层；步骤S03：采用光刻和干法刻蚀工艺，图案化所述抗反射层；图案化后的所述抗反射层将栅极侧墙顶部全部覆盖住或覆盖住栅极侧墙顶部的第一部分；步骤S04：仅以图案化的所述抗反射层为掩膜，经干法刻蚀工艺，采用CH2F2和CHF3的混合气体，所述CH2F2与所述CHF3的流量比例为1:1至4:1，使得对栅极侧墙的刻蚀速率大于对抗反射层的刻蚀速率，从而减薄所述栅极侧墙。