[发明专利]三维半导体器件制造方法

摘要

一种三维半导体器件制造方法，包括a)在衬底上形成器件单元，包括沿垂直衬底表面方向多个第一材料层和多个第二材料层构成的堆叠结构；b)在器件单元周围形成接触引出区域，包括多个子分区，每一个暴露各自不同的一个第二材料层；c)在衬底上形成光刻胶覆盖多个子分区，暴露一个第二材料层的一部分；d)以光刻胶为掩模同时刻蚀多个子分区中暴露的一个第二材料层的一部分，直至暴露一个第二材料层下方的另一个第二材料层；e)缩减光刻胶的尺寸，以暴露另一个第二材料层的一部分；f)重复步骤d和步骤e直至所有的第二材料层均暴露；g)形成接触引线，连接多个第二材料层的每一个。依照本发明的方法，对各个子分区进行选择性刻蚀，减少工艺步骤，有效提高面积利用率。

主权项

一种三维半导体器件制造方法，包括步骤：a)在衬底上形成器件单元，所述器件单元包括沿垂直衬底表面方向多个第一材料层和多个第二材料层构成的堆叠结构；b)在所述器件单元周围形成接触引出区域，所述接触引出区域包括多个子分区，所述多个子分区的每一个暴露各自不同的一个第二材料层；c)在所述衬底上形成光刻胶，覆盖所述多个子分区，暴露所述一个第二材料层的一部分；d)以所述光刻胶为掩模，同时刻蚀所述多个子分区中暴露的堆叠结构，直至暴露所述一个第二材料层下方的另一个第二材料层；e)缩减所述光刻胶的尺寸，以暴露所述另一个第二材料层的一部分；f)重复所述步骤d和步骤e，直至所有的第二材料层均暴露；g)形成接触引线，连接所述多个第二材料层的每一个，所述接触引线在不同的子分区而位于不同的平面上。