[发明专利]一种可抑制高频辐射损耗的微带线介质移相器有效
| 申请号： | 201410176501.5 | 申请日： | 2014-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN103956540B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 陈书明;张金英;宁希;池雅庆;梁斌 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | H01P1/18 | 分类号： | H01P1/18;H01Q3/34 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008 | 代理人： | 周长清 |
| 地址： | 410073 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种可抑制高频辐射损耗的微带线介质移相器，包括采用依次叠放布置的衬底、参考地电极层、电介质薄膜层及传输线层，在所述衬底、参考地电极层、电介质薄膜层和传输线层中至少一层结构上设置光子晶体结构。本发明具有结构简单紧凑、制作简便、能够抑制器件高频辐射、降低器件高频损耗等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可抑制 高频 辐射 损耗 微带 介质 移相器 | ||
【主权项】：
一种可抑制高频辐射损耗的微带线介质移相器，包括采用依次叠放布置的衬底（1）、参考地电极层（2）、电介质薄膜层（3）及传输线层（4），其特征在于，在所述衬底（1）、参考地电极层（2）、电介质薄膜层（3）和传输线层（4）中至少一层结构上设置光子晶体结构（7），所述电介质薄膜层（3）是一层介电常数可调谐的电介质薄膜以用于实现移相器移相度调谐。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科学技术大学，未经中国人民解放军国防科学技术大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410176501.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种盒状扇形波束天线
- 下一篇：铅酸蓄电池超大电流尖峰脉冲充电控制方法
