[发明专利]防尘薄膜组件在审
申请号: | 201410177846.2 | 申请日: | 2014-04-29 |
公开(公告)号: | CN104133341A | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 堀越淳 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/64 | 分类号: | G03F1/64;B08B17/00 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇;李科 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种通过设为适当的粘合层的截面形状而使其长期不产生松弛并且外观优良的防尘薄膜组件。本发明为在防尘薄膜组件框架的一侧框架表面上借助于涂敷在该框架表面上的粘合层粘贴有防尘薄膜的防尘薄膜组件,其特征在于,所述粘合层的与防尘薄膜组件框架的长方向直交的截面的与防尘薄膜相对侧的截面形状由曲率半径R10以上且R1000以下的凸曲线构成。另外,本发明的凸曲线优选为大致弓形。 | ||
搜索关键词: | 防尘 薄膜 组件 | ||
【主权项】:
一种防尘薄膜组件,在防尘薄膜组件框架的一侧框架表面上,借助于涂敷在该框架表面上的粘合层粘贴有防尘薄膜,其特征在于,所述粘合层的与防尘薄膜组件框架长方向直交的截面的与防尘薄膜相对侧的截面形状由曲率半径R10以上且R1000以下的凸曲线构成。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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