[发明专利]用于LED驱动器老化测试的负载电路及负载装置有效

专利信息
申请号: 201410178185.5 申请日: 2014-04-29
公开(公告)号: CN105021912B 公开(公告)日: 2018-04-13
发明(设计)人: 陈士弘 申请(专利权)人: 全汉企业股份有限公司
主分类号: H02M3/156 分类号: H02M3/156
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司44202 代理人: 张艳美,郝传鑫
地址: 中国台湾桃*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了一种用于LED驱动器老化测试的负载电路,该负载电路包括若干负载分路和与若干所述负载分路相对应的若干通断开关,每一所述负载分路包括MOS管、齐纳二极管和电阻,所述齐纳二极管接于所述MOS管的栅极和漏极之间,所述电阻接于所述MOS管的栅极和源极之间,且任一所述负载分路之MOS管的源级与下一所述负载分路之MOS管的漏极相连,若干所述通断开关分别接于对应负载分路之MOS管的漏极和栅极之间。与现有技术相比,由于负载电路提供的输出电压为断开的负载分路提供的齐纳二极管逆崩电压之和,故本发明可通过控制通断开关的开闭控制断开对应的负载分路来调节负载电路的输出电压,以使本发明所述负载电路为可供不同机种测试使用的共用型负载电路。
搜索关键词: 用于 led 驱动器 老化 测试 负载 电路 装置
【主权项】:
一种用于LED驱动器老化测试的负载电路,其特征在于,该负载电路包括若干负载分路和与若干所述负载分路相对应的若干通断开关,每一所述负载分路包括MOS管、齐纳二极管和电阻,所述齐纳二极管反相接于所述MOS管的栅极和漏极之间,所述电阻接于所述MOS管的栅极和源极之间,且任一所述负载分路之MOS管的源级与下一所述负载分路之MOS管的漏极相连,若干所述通断开关分别接于对应所述负载分路之MOS管的漏极和栅极之间;其中,通断开关断开时,电流反向击穿对应所述负载分路之齐纳二极管后流过所述电阻并驱动MOS管导通后进入下一所述负载分路;通断开关闭合时,对应所述负载分路之齐纳二极管截止,电流流过电阻并驱动MOS管导通后进入下一负载分路。
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