[发明专利]一种制造高介电聚合物复合薄膜的方法无效
| 申请号： | 201410178975.3 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN103963408A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 杨亚杰;袁文涛;杨文耀;杨晓洁;徐建华;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | B32B27/08 | 分类号： | B32B27/08;B32B27/12;B32B27/30;B32B27/28;C08G61/12 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 谭新民 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种高介电聚合物复合薄膜的制备方法，包括：采用LB膜法在基片上制备聚合物超薄膜，然后通过喷涂法在聚合物薄膜表面制备氧化剂/纳米粒子复合薄膜，接着采用化学气相聚合沉积的方法在聚合物表面获得导电聚合物/纳米粒子复合薄膜，然后在复合薄膜上采用LB膜法沉积另一层聚合物薄膜，最后对获得的复合薄膜进行热处理，从而获得一种高介电聚合物复合薄膜。该方法制备的复合薄膜为聚合物电介质/纳米粒子电介质/导电聚合物/聚合物电介质的高介电复合薄膜，并具有自支撑的特点，在高储能密度电容器及其它储能器件上有十分广泛的用途。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 高介电 聚合物 复合 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制造高介电聚合物复合薄膜的方法，其特征在于，包括：将介电聚合物溶于第一有机溶剂中，获得介电聚合物分散液；将所述介电聚合物分散液的至少一部分铺展于LB膜槽中的超纯水表面，用LB膜法将所述超纯水表面的介电聚合物薄膜的至少一部分转移至基片表面；将纳米粒子和氧化剂溶于第二有机溶剂与超纯水组成的混合溶液中，获得纳米粒子/氧化剂分散液；将所述纳米粒子/氧化剂分散液的至少一部分沉积于所述基片上的所述介电聚合物薄膜表面，在基片上获得介电聚合物/氧化剂/纳米粒子复合薄膜；将形成了所述介电聚合物/氧化剂/纳米粒子复合薄膜的所述基片置于导电聚合物单体气氛中进行化学气相沉积，获得介电聚合物/导电聚合物/纳米粒子复合薄膜；在所述介电聚合物/导电聚合物/纳米粒子复合薄膜表面形成介电聚合物薄膜，获得介电聚合物/导电聚合物/纳米粒子/介电聚合物复合薄膜；将所述介电聚合物/导电聚合物/纳米粒子/介电聚合物复合薄膜进行热处理并从所述基片剥离，获得高介电聚合物复合薄膜。
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