[发明专利]一种高压PMOS晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201410179185.7 | 申请日： | 2014-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN103956384A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 王钊 | 申请（专利权）人： | 无锡中星微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 邵骅 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压PMOS晶体管，包括：埋层，其设置在晶圆上；P-衬底，其设置在所述埋层BN上；环状深N阱区域，其配置于所述P-衬底中；P阱区域，其由所述深N阱区域与所述埋层隔离出的空间构成并且被环状深N阱区域所包围；P+源极，其配置于所述环状深N阱区域中；P+漏极，其配置于所述P阱区域中；栅极，其设置在所述P-衬底之上。本发明提供的高压PMOS晶体管，能够省略深N阱区域中的漂移区层，从而节省了光刻步骤，从而降低芯片制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 pmos 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高压PMOS晶体管，其特征在于，包括：埋层，其设置在晶圆上；P‑衬底，其设置在所述埋层BN上；环状深N阱区域，其配置于所述P‑衬底中；P阱区域，其由所述深N阱区域与所述埋层隔离出的空间构成并且被环状深N阱区域所包围；P+源极，其配置于所述环状深N阱区域中；P+漏极，其配置于所述P阱区域中；栅极，其设置在所述P‑衬底之上。
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