[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201410180839.8 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN103956353A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 许乐;黄奕仙;杨斌 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件的形成方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成金属层；在所述金属层上形成第一图形化的光阻层，并以其为掩膜刻蚀所述金属层，形成第一金属图形；以及在所述第一金属图形上形成第二图形化的光阻层，并以其为掩膜刻蚀所述第一金属图形，形成第二金属图形，所述第二金属图形的下部作为金属互连线，所述第二金属图形的上部作为金属层间连线。本发明对一层金属分两次刻蚀分别形成金属互连线及金属层间连线，减少了工艺步骤，并且因为同层金属互连线与金属层间连线由一种金属形成，还可降低金属互连线与金属层间连线间的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成金属层；在所述金属层上形成第一图形化的光阻层，并以其为掩膜刻蚀所述金属层，形成第一金属图形；以及在所述第一金属图形上形成第二图形化的光阻层，并以其为掩膜刻蚀所述第一金属图形，形成第二金属图形，所述第二金属图形的下部作为金属互连线，所述第二金属图形的上部作为金属层间连线。
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