[发明专利]一种硅片母合金的制备方法有效
| 申请号： | 201410181197.3 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN104928761B | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 吕学谦;银波;范协诚;郭增昌;刘乐通;孟华 | 申请（专利权）人： | 新特能源股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B31/10 | 分类号： | C30B31/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 罗建民,邓伯英 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐国*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片母合金的制备方法，该方法为将氯硅烷与第IIIA族元素的三氯化物、第IIIA族元素的氢化物、第VA族元素的三氯化物、第VA族元素氢化物中的一种在还原炉或外延生长炉内，通过氢气进行还原反应制得硅片母合金，其中，第IIIA族元素为硼或铝，第VA族元素为磷或砷。上述方法中的整个反应系统为密闭的系统，且反应原料不需要使用单质硅，避免了传统技术中需要将单质硅加热至熔融，并避免了熔融的硅与石英坩埚大的接触面积，避免了锑在硅里的固溶度较低，且避免了反应原料与空气的接触，减少了产品的缺陷。由于原料未使用单质硅，所以避免了多晶硅生长、拆炉、破碎、包装、转运、装填过程中引入杂质到硅片母合金中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 合金 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片母合金的制备方法，其特征在于，将氯硅烷与第IIIA族元素的三氯化物、第IIIA族元素的氢化物、第VA族元素的三氯化物、第VA族元素氢化物中的一种或多种，在还原炉或外延生长炉内，通过氢气进行还原反应制得硅片母合金，其中，所述第IIIA族元素为硼或铝，所述第VA族元素为磷或砷，所述氯硅烷为精制氯硅烷高沸物、精制氯硅烷低沸物中的一种或两种，其中，所述精制氯硅烷高沸物为精制氯硅烷的提纯过程产生的沸点较高的氯硅烷，即塔釜采出氯硅烷，其中磷杂质含量较高；所述精制氯硅烷低沸物为精制氯硅烷的提纯过程产生的沸点较低的氯硅烷，即塔顶采出氯硅烷，其中硼杂质含量较高。
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