[发明专利]鳍式场效应管的形成方法在审
| 申请号： | 201410181377.1 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN105097518A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 赵海;虞肖鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有若干分立的鳍部；采用沉积工艺形成覆盖于所述鳍部表面的屏蔽层，且所述沉积工艺的反应气体包括主源气体和氧源气体，其中，主源气体为含有鳍部材料原子的气体；在所述屏蔽层表面形成光刻胶膜；对所述光刻胶膜进行曝光处理以及显影处理，形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，对部分鳍部进行掺杂工艺；去除所述图形化的光刻胶层；去除所述屏蔽层。本发明形成屏蔽层的工艺过程中对鳍部材料的消耗少甚至不消耗鳍部的材料，保持鳍部的特征尺寸不变，且所述屏蔽层能够防止显影处理过程对鳍部材料造成的损伤，使得形成的鳍式场效应管具有优良的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有若干分立的鳍部；采用沉积工艺形成覆盖于所述鳍部表面的屏蔽层，且所述沉积工艺的反应气体包括主源气体和氧源气体，其中，主源气体为含有鳍部材料原子的气体；在所述屏蔽层表面形成光刻胶膜；对所述光刻胶膜进行曝光处理以及显影处理，形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，对部分鳍部进行掺杂工艺；去除所述图形化的光刻胶层；去除所述屏蔽层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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