[发明专利]用于测试磁场传感器的装置及其方法有效
| 申请号： | 201410181517.5 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN104347444B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 金动昊;曹基锡 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;陈炜 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种用于测试磁场传感器的装置和方法，其中，该方法包括：布置线圈以产生磁场；使用线圈，将磁场施加到磁场传感器；以及检测施加到磁场传感器的磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测试 磁场 传感器 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于测试晶片上的磁场传感器的方法，包括：在具有平行于所述晶片的表面的径向方向的线圈的磁场内布置所述磁场传感器；其中，所述磁场传感器被布置为远离所述线圈的中心点一定距离，其中，所述线圈具有比所述晶片的横截面面积更小的横截面面积，以及其中，所述线圈被配置成向所述磁场传感器施加三轴磁场，并且所述距离对应于所述线圈与所述晶片之间的距离，使得所述磁场传感器接触从所述三轴磁场产生的下述磁场线：所述磁场线在所述磁场线与所述晶片的表面相交的点处具有Z轴与XY坐标平面之间的近似45°的入射角；以及检测施加到所述磁场传感器的三轴磁场。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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