[发明专利]一种具备沟道效应的瞬态电压抑制器芯片的生产工艺

摘要

本发明创造提供一种具备沟道效应的瞬态电压抑制器芯片的生产工艺，通过气态源扩散，沟槽腐蚀，双面电泳的步骤，使结构为N+PN+高电压瞬态电压抑制器芯片，在反向状态下，耗尽层宽度和反向电压随着反向电流的增加而增加，当反向电流增加到接近Ic时，两面的耗尽层接触，从而产生沟道效应，导致等效电阻减小，拑位电压减小的现象，使反向浪涌能力得到提高，增强了二极管的可靠性和寿命，且产品具有电参数均一性好、欧姆接触更好，可靠性高的优点，避免了两次单面电泳造成的两面玻璃层厚度不均的问题，同时玻璃保护的抗应力能力强，不易损坏，进一步提高了产品的可靠性。

主权项

一种具备沟道效应的瞬态电压抑制器芯片的生产工艺，其特征在于：选用P型硅片，采用如下次序的步骤：(1)扩散前处理：通过酸、碱和去离子水超声清洗工序，对硅片表面进行清洗处理；(2)磷源预扩：将清洗后的硅片放入使用气态磷源扩散的预扩散炉中进行扩散形成预扩N+；(3)扩散前处理：用酸浸泡、去离子水超声清洗，使去除表面氧化层；再通过酸、碱和去离子水超声清洗工序，对硅片表面进行处理；(4)磷推进：将扩散前处理后的硅片放入扩散炉中推进形成N+，扩散温度为1150～1250℃，N+磷扩散结方块电阻为0.1～0.4Ω/□，结深50～60um；(5)氧化：用酸浸泡、去离子水超声清洗，使去除表面氧化层；把喷砂后经过超砂、电子清洗剂处理的硅片在氧化炉中生长氧化层；(6)光刻：把氧化后的硅片进行涂胶、曝光、显影、去氧化层的工序，刻出台面图形；(7)沟槽腐蚀：用混酸刻蚀台面沟槽，并用去离子水冲净；(8)双面电泳：采用双面电泳把玻璃粉沉积在硅片沟槽中；(9)烧结：把电泳后的硅片放入烧结炉中进行烧结；(10)去氧化层：用稀释的氢氟酸浸泡、去离子水超声清洗去除烧结后硅片表面氧化层；(11)镀镍、镀金：将去氧化层后的硅片在专用镀槽中进行镀镍、镀金、干燥；(12)划片：用划片机把镀金后的硅片从台面沟槽处划成单个芯片并进行测试。