[发明专利]可配置的宽调谐范围振荡器核心有效
| 申请号： | 201410184151.7 | 申请日： | 2010-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN103916081B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 拉贾戈帕兰·兰加拉詹;钦玛雅·米什拉 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/12 | 分类号： | H03B5/12;H03B1/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及可配置的宽调谐范围振荡器核心。一种振荡器包括谐振器、第一和第二p型晶体管，以及第一和第二n型晶体管。所述谐振器具有第一端子和第二端子。所述第一p型晶体管可切换地连接到所述第一端子，而所述第二p型晶体管可切换地连接到所述第二端子。所述第一n型晶体管的第一漏极和所述第二n型晶体管的第二漏极分别电连接到所述第一端子和所述第二端子。所述振荡器能够在仅NMOS模式下和在CMOS模式下操作。 | ||
| 搜索关键词： | 配置 调谐 范围 振荡器 核心 | ||
【主权项】：
一种宽调谐范围振荡器，包括：谐振器，其具有第一端子和第二端子；第一n型晶体管，其具有第一漏极；第二n型晶体管，其具有第二漏极，其中所述第一漏极连接到所述第一端子并且所述第二漏极连接到所述第二端子；第一p型晶体管，其可切换地连接到所述第一端子；以及第二p型晶体管，其可切换地连接到所述第二端子；其中选择性地切换所述第一p型晶体管和所述第一端子之间的连接以及所述第二p型晶体管和所述第二端子之间的连接促进所述宽调谐范围振荡器在覆盖CMOS频带、NMOS频带和CMOS/NMOS频带的模式中的操作，其中所述CMOS频带包括宽调谐范围的下端，而所述NMOS频带包括所述宽调谐范围的高端，且所述CMOS/NMOS频带允许在NMOS模式和CMOS模式下操作；其中所述选择性地切换包括：操作将所述第一p型晶体管连接到所述第一端子的第一开关；以及操作将所述第二p型晶体管连接到所述第二端子的第二开关；且其中闭合所述第一开关并且闭合所述第二开关降低振荡器频率且促进在所述CMOS频带中在CMOS模式下的操作；以及其中打开所述第一开关并且打开所述第二开关提高振荡器频率，由此促进在所述NMOS频带中在NMOS模式下的操作。
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