[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201410184425.2 | 申请日： | 2014-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN105097521B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 应战,骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括提供衬底，所述衬底表面具有若干相邻的伪栅极结构，所述伪栅极结构包括伪栅极层、以及位于伪栅极层侧壁表面的侧墙；在相邻伪栅极结构之间的衬底内形成应力层；在衬底、应力层和伪栅极结构的侧壁表面形成第一介质层，所述第一介质层暴露出伪栅极层；去除伪栅极层，在第一介质层内形成第一开口；在所述第一开口内形成栅极结构，所述栅极结构包括若干有效栅极结构、以及至少一个无效栅极结构；去除无效栅极结构，在第一介质层内形成第二开口；在第二开口底部的衬底内形成第三开口；在第二开口和第三开口内形成第二介质层。所形成的半导体器件形貌良好、性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有若干相邻的伪栅极结构，所述伪栅极结构包括：伪栅极层、以及位于伪栅极层侧壁表面的侧墙；在相邻伪栅极结构之间的衬底内形成应力层；在衬底、应力层和伪栅极结构的侧壁表面形成第一介质层，所述第一介质层暴露出伪栅极层；去除伪栅极层，在第一介质层内形成第一开口；在所述第一开口内形成栅极结构，所述栅极结构包括若干有效栅极结构、以及至少一个无效栅极结构；去除无效栅极结构，在第一介质层内形成第二开口；在第二开口底部的衬底内形成第三开口；在第二开口和第三开口内形成第二介质层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410184425.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件的形成方法
- 下一篇：一种FinFET器件及其制造方法、电子装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
