[发明专利]反向调节自对准接触件有效
| 申请号： | 201410184599.9 | 申请日： | 2014-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN104851806B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 傅劲逢;严佑展;李佳颖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的一些实施例涉及一种形成晶体管或其他半导体器件的源极/漏极自对准接触件的方法。该方法包括在衬底上方形成一对栅极结构，以及在该对栅极结构之间形成源极/漏极区。该方法还包括形成布置在源极/漏极区上方并且横向布置在该对栅极结构的邻近的侧壁之间的牺牲源极/漏极接触件。该方法还包括形成延伸在牺牲源极/漏极接触件和该对栅极结构上方的介电层。该介电层不同于牺牲源极/漏极接触件。该方法还包括去除该介电层中位于牺牲源极/漏极接触件上方的部分并且随后去除牺牲源极/漏极接触件以形成凹槽，以及用导电材料填充凹槽以形成源极/漏极接触件。 | ||
| 搜索关键词： | 反向 调节 对准 接触 | ||
【主权项】：
一种形成源极/漏极接触件的方法，包括：在衬底上方形成一对栅极结构；在所述一对栅极结构之间形成源极/漏极区；形成布置在所述源极/漏极区上方并且横向布置在所述一对栅极结构的邻近的侧壁之间的牺牲源极/漏极接触件；在所述牺牲源极/漏极接触件上方形成氧化物材料；形成在所述牺牲源极/漏极接触件和所述一对栅极结构上方延伸的介电层，所述介电层由不同于所述牺牲源极/漏极接触件的材料的材料制成；去除所述介电层中位于所述牺牲源极/漏极接触件上方的部分以及所述氧化物材料，并且随后去除所述牺牲源极/漏极接触件以形成凹槽；以及用导电材料填充所述凹槽以形成源极/漏极接触件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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