[发明专利]半导体器件无效

专利信息
申请号: 201410184793.7 申请日: 2010-05-10
公开(公告)号: CN103943580A 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 安村文次;土屋文男;伊东久范;井手琢二;川边直树;佐藤齐尚 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供了一种可以防止半导体器件的最上层中的保护膜断裂以及改进半导体器件可靠性的技术。在半导体芯片的主表面上方形成的键合焊盘为四边形形状,并且按照以下方式在每个键合焊盘上方的保护膜中形成开口,即,每个键合焊盘的接线键合区域中的保护膜交叠宽度变得宽于每个键合焊盘的探针区域中的保护膜交叠宽度。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件,包括:半导体芯片,具有其上布置有多个键合焊盘的主表面和与所述主表面相对的背表面,其中所述半导体芯片的所述主表面由在其中形成有多个开口的保护膜覆盖,其中每个所述键合焊盘的上表面的外围部分由所述保护膜覆盖,并且每个所述键合焊盘的所述上表面的除所述外围部分之外的部分从每个所述开口暴露,其中每个所述键合焊盘的所述上表面被分为键合区域和探针区域,并且其中,在平面图中,所述保护膜与所述键合区域中的每个所述键合焊盘的所述外围部分的交叠宽度宽于所述保护膜与所述探针区域中的每个所述键合焊盘的所述外围部分的交叠宽度。
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