[发明专利]半导体检测结构及形成方法、检测方法有效
| 申请号： | 201410185201.3 | 申请日： | 2014-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN105092898B | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 李楠;赖李龙;朱灵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G01Q60/00 | 分类号： | G01Q60/00;G01Q60/46;G01Q30/20;H01L21/02;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体检测结构及形成方法、检测方法，其中，半导体检测结构的形成方法包括提供表面具有待测器件结构的衬底，所述衬底和待测器件结构表面具有介质层，所述介质层表面具有导电结构、以及用于电隔离所述导电结构的绝缘层；采用第一平坦化工艺去除所述导电结构和绝缘层，直至暴露出所述介质层的第一表面为止；在所述第一平坦化工艺之后，采用粘结层使介质层的第一表面固定于基底表面；在所述介质层固定于基底表面之后，去除所述衬底，并暴露出介质层的第二表面和待测器件结构表面为止，所述介质层的第二表面与待测器件表面齐平，所述介质层的第二表面与第一表面相对。所形成的半导体检测结构用于扫描探针显微镜检测，能够使检测结果更精确。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 检测 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体检测结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有待测器件结构，所述衬底和待测器件结构表面具有介质层，所述介质层表面具有导电结构、以及用于电隔离所述导电结构的绝缘层；采用第一平坦化工艺去除所述导电结构和绝缘层，直至暴露出所述介质层的第一表面为止；在所述第一平坦化工艺之后，采用粘结层使介质层的第一表面固定于基底表面；在所述介质层固定于基底表面之后，去除所述衬底，并暴露出介质层的第二表面和待测器件结构表面为止，所述介质层的第二表面与待测器件表面齐平，所述介质层的第二表面与第一表面相对。
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