[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，包括衬底、衬底内的埋层区、埋层区上的阱区、阱区上的栅区、位于栅区两侧的源区和漏区、以及超级结结构，源区设于阱区内，漏区设于超级结结构内，栅区包括栅氧层和栅氧层上的栅极，超级结结构包括多个N柱和P柱，N柱和P柱在水平且垂直于源区和漏区连线的方向上交替排列，每个N柱包括上下对接的顶层N区和底层N区，每个P柱包括上下对接的顶层P区和底层P区。本发明将超级结结构的N柱和P柱分解为两次注入形成，每次注入时所需结深只为传统工艺的一半，故可采用较低的注入能量来形成很深的P、N柱，从而提高器件的击穿电压。漂移区为P柱和N柱相互交错的结构，实现高击穿电压。

主权项

一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，包括下列步骤：提供衬底；在衬底内形成第二掺杂类型的埋层区，以及多个底层N区和底层P区，所述底层N区和底层P区在二维坐标系的第一维方向上交替排列；在所述底层N区、底层P区和埋层区上外延形成外延层；向所述外延层内注入杂质离子并推结，形成顶层N区、顶层P区及第二掺杂类型的阱区；推结后，每个顶层N区与一个底层N区上下对接形成N柱，每个顶层P区与一个底层P区上下对接形成P柱，阱区与埋层区上下对接；在所述阱区上形成栅氧层和栅极；形成第一掺杂类型的源区、漏区和第二掺杂类型的体引出区；所述源区和漏区形成于所述栅氧层的两侧，所述源区和漏区的连线方向为二维坐标系的第二维方向。