[发明专利]一种FINFET制造方法在审
| 申请号： | 201410185412.7 | 申请日： | 2014-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN105097528A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 刘云飞;尹海洲;张珂珂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种FINFET的制造方法，包括：a.提供半导体衬底，在所述衬底上形成第一鳍片；b.在所述第一鳍片上覆盖掩膜层；c.在所述半导体衬底中形成穿通阻挡层；d.以第一鳍片和掩膜层为掩膜依次对所述通阻挡层和所述半导体衬底的一部分进行刻蚀，将所述第一鳍片扩展成第二鳍片，并去除掩膜；e.在所述半导体衬底上形成沟槽隔离结构，在第二鳍片上形成源漏区，在所述半导体衬底和第二鳍片上形成栅极叠层和层间介质层本发明采用侧向散射的方法形成穿通阻挡层，同时利用衬底材料作为散射杂质的载体，在形成穿通阻挡层之后形成隔离层，有效地解决了侧向散射时引入的杂质和损伤，极大地改善了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种FINFET的制造方法，包括：a.提供半导体衬底(100)，在所述衬底上形成第一鳍片(201)；b.在所述第一鳍片(201)上覆盖掩膜层(202)；c.在所述半导体衬底(100)中形成穿通阻挡层(300)；d.以第一鳍片(201)和掩膜层(202)为掩膜依次对所述通阻挡层(300)和所述半导体衬底(100)的一部分进行刻蚀，将所述第一鳍片(201)扩展成第二鳍片(200)，并去除掩膜(202)；e.在所述半导体衬底(100)上形成沟槽隔离结构(400)，在第二鳍片(200)上形成源漏区，在所述半导体衬底和第二鳍片上形成栅极叠层和层间介质层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410185412.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
