[发明专利]高Q值可调谐差分式有源电感

摘要

本发明提供一种高Q值可调谐差分式有源电感，涉及射频集成电路技术领域，以解决现有差分有源电感实部损耗比较大、Q值不高的问题；该发明包括电源、输入输出端、偏置电路和差分Cascode基本结构，还包括有源电阻反馈网络，它由无源电阻Rf和PMOS晶体管Mp3并联构成，并且所述有源电阻反馈网络的两端和差分Cascode结构中的Mn1、Mn2管的漏极相连接；所述差分Cascode结构由Mn1、Mn2、Mn3和Mn4晶体管构成，且Mn1、Mn2晶体管和Mn3、Mn4晶体管分别以交叉耦合对的形式相连接，并且Mn3、Mn4晶体管的漏极与Mn1、Mn2晶体管的源极接在一起；本发明通过对有源反馈电阻网络和偏置电路的调谐，可实现对差分式有源电感的电感值和Q值的可调谐性。

主权项

一种高Q值可调谐差分式有源电感，其特征在于：包括电源、输入输出端、偏置电路和由共源极连接的Mn3、Mn4晶体管和共栅极连接的Mn1、Mn2晶体管组成的差分Cascode结构，还包括有源电阻反馈网络，所述有源电阻反馈网络由Mp3晶体管和无源电阻Rf并联构成，并且所述有源电阻反馈网络的两端分别与所述Mn1、Mn2晶体管的漏极相连接；所述差分Cascode结构包括四只NMOS晶体管Mn1、Mn2、Mn3和Mn4，Mn3和Mn4晶体管的栅极共源极连接，Mn3的栅极与Mn4管的漏极相连接，Mn4晶体管的栅极与Mn3管的漏极相连接，构成一交叉耦合对；Mn1和Mn2晶体管共栅极连接，Mn1晶体管的栅极与Mn2管的漏极相连接，Mn2晶体管的栅极与Mn1管的漏极相连接，构成另一交叉耦合对；所述Mn3晶体管的漏极和Mn1晶体管的源极相连接，所述Mn4晶体管的漏极与Mn2晶体管的源极相连接，形成差分Cascode结构；所述偏置电路包括两个NMOS晶体管Mn5、Mn6和两个的PMOS晶体管Mp1、Mp2，所述的Mn5和Mn6晶体管作为偏置电流源，所述的Mn5晶体管漏极与所述Mn3晶体管的源极相连接，所述的Mn6晶体管漏极与所述Mn4晶体管的源极相连接，为差分Cascode结构提供偏置电流；所述PMOS晶体管Mp1、Mp2的漏极与Mn1、Mn2晶体管的漏极相连接；所述Mp3晶体管被偏置在三极管区，Mp3晶体管的源、漏极分别与无源电阻Rf两端连接，形成有源电阻反馈网络；所述有源电阻反馈网络的两端分别与Mn1、Mn2晶体管的漏极相连接。