[发明专利]腔室环境调控方法

摘要

本发明公开了一种腔室环境调控方法，包括以下步骤向反应腔室中通入第一气体，在反应腔室的内壁及反应腔室中的基片台表面生成第一涂层；向反应腔室通入第二气体，在第一涂层的表面生成第二涂层；将晶圆送入反应腔室中，进行等离子体加工；对晶圆进行等离子体加工完毕后，将晶圆移出反应腔室，并通入第一清洗气体，去除等离子体加工过程中吸附在第二涂层的表面的沉积物及第二涂层；通入第二清洗气体，去除第一涂层，使反应腔室恢复初始环境。其通过依次在反应腔室的内壁及基片台表面生成第一涂层和第二涂层，并在晶圆等离子体加工完成之后，依次去除第二涂层和第一涂层，保证了反应腔室环境的一致性，提高了工艺的稳定性。

主权项

一种腔室环境调控方法，其特征在于，包括以下步骤：向反应腔室中通入第一气体，在所述反应腔室的内壁及所述反应腔室中的基片台表面生成第一涂层，所述第一涂层为含硅元素和氧元素的涂层，分子式为SixOy；向所述反应腔室通入第二气体，在所述第一涂层的表面生成第二涂层,所述第二涂层为含硅元素、碳元素和卤族元素的涂层，或者为含硅元素、碳元素和氢元素的涂层，分子式为SiaCbRc，其中所述R为F、Cl、Br或H；将晶圆送入所述反应腔室中，进行等离子体加工；对所述晶圆进行所述等离子体加工完毕后，将所述晶圆移出所述反应腔室，并通入第一清洗气体，去除所述等离子体加工过程中吸附在所述第二涂层的表面的沉积物及所述第二涂层；通入第二清洗气体，去除所述第一涂层，使所述反应腔室恢复初始环境。