[发明专利]引线键合结构及引线键合方法有效
| 申请号： | 201410187038.4 | 申请日： | 2014-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN105097742B | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 殷原梓;高保林;张菲菲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种引线键合结构及引线键合方法。该引线键合结构包括：焊盘；金属球，固定在焊盘上；键合引线，与金属球一体设置，焊盘与金属球接触的接触表面分布有多个凹陷部。在焊盘与金属球接触的表面上设置多个凹陷部，进而增加了焊盘与金属球之间的接触面积，且利用本申请的曲面接触替换原来的平面接触，增加了焊盘与金属球之间剥离时的阻力，进而有效地解决了两者剥离的问题；此外，本申请仅是对焊盘的表面结构进行改进，不需要采用高温加热、电镀等工艺形成大量热量对已经新形成的半导体器件结构产生任何影响，因此保证了芯片的原有结构和功能。 | ||
| 搜索关键词： | 引线 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种引线键合方法，其特征在于，所述引线键合方法包括：步骤S1，设置焊盘；步骤S2，对所述焊盘的表面进行离子轰击形成凹陷部；以及步骤S3，将键合引线通过金属球与所述离子轰击后的表面键合，所述步骤S2采用氩离子轰击，所述离子轰击的射频频率为13.56MHz，所述离子轰击的时间为15s～30s，所述氩离子轰击的射频功率600W～800W，所述氩离子的流量为500～600sccm；所述凹陷部的深度为50nm～100nm，所述焊盘与所述金属球接触的接触表面与所述焊盘的远离所述金属球的表面的面积比为1.5：1～1.2:1。
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