[发明专利]一种Cu-Al共掺杂p型ZnO薄膜的制备方法

摘要

本发明公开一种Cu-Al共掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，属于半导体材料、发光材料技术领域；本发明所述方法是将备好的Cu-Al共掺杂的ZnO胶体溶液滴加在衬底上，并以旋涂的方式进行镀膜，烘干，然后进行退火处理即可得到所需薄膜；本发明的共掺杂Cu-Al的p型ZnO薄膜表现出良好的光学特性；本发明所述方法具有合成温度低、成膜均匀性好、成膜面积大、与衬底附着力强、易于原子级掺杂、可精确控制掺杂水平、工艺简单等优点。

主权项

一种Cu‑Al共掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将前驱体锌盐和掺杂剂溶解在有机溶剂中，再加入稳定剂，得到混合的溶液；（2）将步骤（1）所制备得到的混合溶液置于水浴温度为55‑85℃的恒温水浴中边加热边搅拌2‑3h；（3）将步骤（2）中制备好的溶液在室温下放置1‑2天，制备得到均匀透明的ZnO溶胶；（4）将衬底先后放入丙酮、乙醇、去离子水、乙醇中分别进行超声清洗30‑60min，然后吹干保存在无水乙醇中备用；（5）将步骤（3）制备好的ZnO溶胶滴加在步骤（4）中清洗好的衬底上，并以旋涂的方式进行镀膜，旋涂速度为1000r/min~3000 r/min；（6）将步骤（5）所得镀膜后的衬底材料在空气中放置10min~30min，然后在120℃~180℃中干燥20~40min，取出在空气中自然冷却；（7）重复步骤（5）和步骤（6）5‑25次得到加热后的衬底材料；（8）将步骤（7）所得加热后的衬底材料在250~320℃进行前期预处理10~40min，继续升温至450~550℃进行后期热处理1~4h，得到Cu‑Al共掺杂ZnO薄膜。