[发明专利]一种高频宽衰减范围有源可变衰减器电路有效

专利信息
申请号: 201410188025.9 申请日: 2014-05-06
公开(公告)号: CN103973261B 公开(公告)日: 2016-11-09
发明(设计)人: 庄奕琪;李振荣;井凯;李小明;李聪;刘伟峰;曾志斌;靳刚;汤华莲 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H03H11/24 分类号: H03H11/24
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种高频宽衰减范围有源可变衰减器电路,由以下部分组成:一个共射级输入电路,完成电路高频信号的输入;一个电流舵结构作为衰减负载,控制信号直接控制电流舵工作状态,调节电路衰减量;两个并联场效应管用于提供有效信号低阻泄放通路,场效应管偏置于深线性状态,消耗少量面积实现可变电阻;两个电容用于消除电路互连线在高频时的寄生电感;实现高频信号有效泄放,衰减。本发明的有益效果是提供一种有源可变衰减器,易于集成,成本低。
搜索关键词: 一种 频宽 衰减 范围 有源 可变 衰减器 电路
【主权项】:
一种高频宽衰减范围有源可变衰减器,其特征在于由以下部分组成:一个共射级输入电路(1)完成电路高频信号的输入,其包括双极管Q1与双极管Q2;双极管Q1与双极管Q2的发射级分别通过尾电流源IB接地,双极管Q1与双极管Q2的基极分别连接外部射频输入信号;一个电流舵结构(2)作为衰减负载,衰减控制信号直接控制电流舵工作状态,调节电路衰减量,其包括双极管Q3、双极管Q4、双极管Q5、双极管Q6、场效应管M1、场效应管M2、电容C1、电容C2和两个电阻负载;双极管Q4集电极与场效应管M1漏极与电容C1一端相连在一点,双极管Q5集电极与场效应M2漏极与电容C2一端相连在一点,电容C1和电容C2另一端分别连接电源正极,场效应管M1的栅极、双极管Q4的基极与场效应管M2的栅极、双极管Q5的基极相连在一点并且与外部衰减控制信号的一端相连,双极管Q3与双极管Q6的基极相连在一点并且与外部衰减控制信号的另一端相连,双极管Q3和双极管Q6的集电极分别连接外部设备进行信号输出,双极管Q3和双极管Q6的集电极还分别通过负载连接电源正极,场效应管M1和场效应管M2的漏极分别连接电源正极;双极管Q1的集电极、双极管Q3的发射极、双极管Q4的发射极和场效应管M1的源级连接在一起,双极管Q2的集电极、双极管Q5的发射极、双极管Q6发射极和场效应管M2的源级连接在一起;两个并联场效应管用于提供有效信号低阻泄放通路,场效应管偏置于深线性状态,消耗少量面积实现可变电阻;两个电容用于消除电路互连线在高频时的寄生电感,实现高频信号有效泄放、衰减。
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