[发明专利]掺杂方法有效
| 申请号： | 201410188473.9 | 申请日： | 2014-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN104143503A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 金光耀;王懿喆;洪俊华;沈培俊 | 申请（专利权）人： | 上海凯世通半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/3105;H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺杂方法，包括：步骤S1、采用离子注入的方式在一基底上形成一掺杂层；在该掺杂层上形成一电介质层；对该带有电介质层的基底进行退火处理；使用清洗液去除该电介质层。通过在离子注入形成掺杂层之后，形成一电介质层来改进由此制得的PN结构的性能，电介质层有助于降低基底表面的掺杂浓度以及晶格缺陷的修复，显著减少注入后损伤层内的缺陷密度，并对基底进行一定程度的吸杂以降低有害杂质的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、采用离子注入的方式在一基底上形成一掺杂层；步骤S2、在该掺杂层上形成一电介质层；步骤S3、对该带有电介质层的基底进行退火处理；步骤S4、使用清洗液去除该电介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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