[发明专利]一种吸收、倍增层分离且具有滤波功能的可见光雪崩光电探测器

摘要

本发明涉及可见光探测器的技术领域，更具体地，涉及一种吸收、倍增层分离且具有滤波功能的可见光雪崩光电探测器。一种吸收、倍增层分离且具有滤波功能的可见光雪崩光电探测器，其中，包括衬底，依次生长在衬底上的缓冲层，非故意掺杂GaN层，n型掺杂GaN层，n型掺杂InzGa1‑zN层，n型掺杂InyGa1‑yN接触层，非故意掺杂高阻InyGa1‑yN吸收层，低掺杂浓度的n型InkGa1‑kN组分缓变层，非故意掺杂高阻InxGa1‑xN倍增层，p型掺杂InxGa1‑xN层。其中n型掺杂InzGa1‑zN层充当窗口层的作用，仅允许波长大于InzGa1‑zN材料截止波长的光信号通过，进入到吸收层上被吸收，起到滤波的作用；而光吸收层和倍增层分离则有利于单载流子（空穴）触发的雪崩增益，从而实现低噪声、高增益的高性能可见光探测器与滤波器的单芯片集成。

主权项

一种吸收、倍增层分离且具有滤波功能的可见光雪崩光电探测器，其特征在于，包括衬底（1），依次生长在衬底（1）上的缓冲层（10），非故意掺杂GaN层（2），n型掺杂GaN层（3），n型掺杂InzGa1‑zN层(4)， n型掺杂InyGa1‑yN接触层（5），非故意掺杂高阻InyGa1‑yN吸收层（6），低掺杂浓度的n型InkGa1‑kN组分缓变层（7），非故意掺杂高阻InxGa1‑xN倍增层（8），p型掺杂InxGa1‑xN层（9），入射光信号从衬底（1）侧入射，所述的p型掺杂InxGa1‑xN层（9）、非故意掺杂高阻InxGa1‑xN倍增层（8）的In组分x＝0－0.38。