[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置有效
| 申请号： | 201410190720.9 | 申请日： | 2014-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN103996717A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 陈江博;王东方 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及到显示装置的技术领域，公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置，该薄膜晶体管的制作方法包括：在衬底上采用铟镓锌氧化物InGaO3(ZnO)m制作具有C轴结晶取向特性的有源层，其中，m≥2。本发明的有益效果为：通过采用InGaO3(ZnO)m制作的具有C轴结晶取向特性的有源层，降低了铟镓锌氧化物的结晶温度，提高了薄膜晶体管的偏压测试的稳定性，结晶后的铟镓锌氧化物在源、漏极的刻蚀液中的刻蚀速率较慢，有源层材料的特性使薄膜晶体管可采用背沟道刻蚀型结构，减少了刻蚀阻挡层的制作工艺。并且采用InGaO3(ZnO)m制作的有源层具有良好的电子迁移效果，提高了制作的有源层的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 显示 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上采用铟镓锌氧化物InGaO3(ZnO)m制作具有C轴结晶取向特性的有源层，其中，m≥2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410190720.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
