[发明专利]镀铜减薄一体化装置有效
申请号: | 201410190951.X | 申请日: | 2014-05-07 |
公开(公告)号: | CN105097651B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 金一诺;王坚;王晖 | 申请(专利权)人: | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 施浩 |
地址: | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明揭示了一种镀铜减薄一体化装置,包括基架,基架内设置有承载台、镀铜腔、快速清洗腔、抛铜腔及硅片夹持装置,硅片夹持装置从承载台上夹取硅片,然后携带硅片依次在镀铜腔、快速清洗腔及抛铜腔内进行镀铜工艺、快速清洗工艺及抛光减薄工艺,最后将完成镀铜工艺、快速清洗工艺及抛光减薄工艺的硅片卸载在承载台上。本发明通过将镀铜腔、快速清洗腔及抛铜腔集成在同一基架内,并由同一硅片夹持装置携带硅片依次在镀铜腔、快速清洗腔及抛铜腔内进行相对应的工艺加工,减少了机械手取、放硅片的次数,提高了工艺效率。 | ||
搜索关键词: | 镀铜 一体化 装置 | ||
【主权项】:
1.一种镀铜减薄一体化装置,其特征在于,包括:基架,所述基架内设置有承载台、镀铜腔、快速清洗腔、抛铜腔及硅片夹持装置,其中:/n承载台,放置硅片供硅片夹持装置夹取,供完成抛光减薄工艺后的硅片卸载在承载台上;/n硅片夹持装置,从承载台上夹取硅片,携带硅片依次在镀铜腔、快速清洗腔及抛铜腔内操作;/n镀铜腔,进行硅片的镀铜工艺;/n快速清洗腔,进行硅片的快速清洗工艺;/n抛铜腔,进行硅片的抛光减薄工艺;/n所述承载台、镀铜腔、快速清洗腔及抛铜腔依次按圆形顺时针或逆时针排列;/n所述硅片夹持装置包括旋转支架及设置在旋转支架上的一个或一个以上的硅片夹持头,所述旋转支架绕其自身的中心轴旋转,所述旋转支架旋转的方向与所述承载台、镀铜腔、快速清洗腔及抛铜腔的排列顺序一致,旋转支架旋转带动硅片夹持头依次经过承载台、镀铜腔、快速清洗腔及抛铜腔;/n所述硅片减薄后再进行退火工艺。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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