[发明专利]一种磷化镉半导体纳米簇的制备方法无效
| 申请号： | 201410191168.5 | 申请日： | 2014-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN103937495A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 解仁国;李冬泽;杨文胜 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C09K11/70 | 分类号： | C09K11/70;C01B25/08;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明的一种磷化镉纳米簇的制备方法属于半导体纳米材料制备的技术领域，具体涉及一种可用于大量制备磷化镉纳米簇的合成方法。本发明利用磷化物与无机酸反应制取PH3气体，并同时将气体通入到N2保护的羧酸镉的十八稀溶液中进行反应，生成Cd3P2纳米簇化合物。本发明制备的纳米簇有着十分尖锐对称的吸收及荧光峰，表现出较好的发光性质，具有良好的单分散性，整个反应操作简单，所有反应物成本相对便宜且利于保存，并且可以大量合成，反应过程不使用有机磷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 半导体 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种磷化镉半导体纳米簇的制备方法，利用磷化物与无机酸反应制取PH3气体，并同时将制得的PH3气体通入到N2保护的羧酸镉的十八稀溶液中，在50℃～120℃的温度下进行反应，生成Cd3P2纳米簇化合物。
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