[发明专利]全差分式浮地有源电感

摘要

本发明涉及射频集成电路领域，特别涉及一种全差分式浮地有源电感，具有宽频带、高Q(品质因子)值、可调谐的特点。本发明采用两个差分对电路配置分别提供正、负跨导，采用共栅电路结构作电流缓冲器，使由负跨导产生的电流返回到输入端。其中负跨导差分对电路采用直接交叉耦合结构，形成负阻补偿网络以抵消电流缓冲器产生的电阻，从而减小实部损耗，增大Q值。进一步地，在正跨导与负跨导之间加入反馈电阻，增大Q值。电流缓冲器与负跨导差分对电路的栅源电容之和构成了回转电容，所以浮地有源电感具有较大的等效电感值。通过调节电流源的控制电压，可调谐电感值和Q值。

主权项

全差分式浮地有源电感，其特征在于：包括第一控制电流源(1)和第二控制电流源(2)，第一NMOS偏置电流源(3)和第二NMOS偏置电流源(4)，NMOS差分对电路(5)，PMOS差分对电路(6)，第一PMOS电流缓冲器(7)和第二PMOS电流缓冲器(8)，第一PMOS偏置电流源(9)和第二PMOS偏置电流源(10)，反馈电阻(11)；反馈电阻(11)包括NMOS差分对电路(5)和PMOS差分对电路(6)差分支路上的两个反馈电阻Rf1和Rf2；第一控制电流源(1)为PMOS管，其源端接电源VDD，栅端为电压控制端VcontP，漏端为第一控制电流源(1)的输出；第二控制电流源(2)为NMOS管，其源端接地，栅端为电压控制端VcontN，漏端为第二控制电流源(2)输出；第一NMOS偏置电流源(3)和第二NMOS偏置电流源(4)的栅端接VBIAS1，源端接地，漏端为第一NMOS偏置电流源(3)和第二NMOS偏置电流源(4)的输出；第一PMOS偏置电流源(9)和第二PMOS偏置电流源(10)的栅端接VBIAS3，源端接电源VDD，漏端为第一PMOS偏置电流源(9)和第二PMOS偏置电流源(10)的输出；NMOS差分对电路(5)的两个源端同接第二控制电流源(2)的漏端，两个栅端分别接第一NMOS偏置电流源(3)和第二NMOS偏置电流源(4)的输出，两个漏端分别接反馈电阻Rf1和Rf2的一端，其中两个栅端分别引出两个浮地端口Vin+和Vin‑；第一PMOS电流缓冲器(7)和第二PMOS电流缓冲器(8)，其栅端接VBIAS2，源端分别接第一PMOS偏置电流源(9)和第二PMOS偏置电流源(10)的漏端，漏端分别接浮地端口Vin+和Vin‑；PMOS差分对电路(6)采用直接交叉耦合结构的连接方式，其源端同接第一控制电流源(1)的漏输出端，两个栅端分别接第一PMOS电流缓冲器(7)和第二PMOS电流缓冲器(8)的源端以及Rf1和Rf2的另一端，即PMOS差分对电路(6)和NMOS差分对电路(5)通过反馈电阻(11)连接起来；PMOS差分对电路(6)的两个漏端交叉分别连接反馈电阻Rf2和Rf1的另一端；所有的NMOS衬底接地，所有的PMOS衬底接源端。