[发明专利]利用SOI片制备MEMS器件的表面牺牲层工艺方法有效
| 申请号： | 201410191944.1 | 申请日： | 2014-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN104003349A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 赵丹淇;张大成;何军;黄贤;杨芳;田大宇;刘鹏;王玮;李婷;罗葵 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 邵可声 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用SOI片制备MEMS器件的表面牺牲层工艺方法，其步骤包括：1)在SOI基片上光刻定义MEMS器件结构区，并刻蚀器件层单晶硅和埋氧层氧化硅至衬底表面，埋氧层作为第一层牺牲层；2)淀积氧化硅作为第二层牺牲层；3)根据MEMS器件结构光刻定义氧化硅区域，并对氧化硅进行刻蚀；4)进行光刻，以氧化硅和光刻胶作双层掩膜刻蚀隔离槽；5)去除光刻胶，以氧化硅为掩膜刻蚀制作凸点槽和锚点槽；6)淀积第二层结构层，进行刻蚀以形成MEMS器件结构；7)制作通孔和引线；8)冷阱释放。本发明采用单晶硅作为主体结构层，加入预应力和凸点防止结构层黏附，工艺难度低，成品率高，可广泛应用于MEMS器件的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 soi 制备 mems 器件 表面 牺牲 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种利用SOI片制备MEMS器件的表面牺牲层工艺方法，其步骤包括：1)在SOI基片上光刻定义MEMS器件的结构区，并刻蚀器件层单晶硅和埋氧层氧化硅至衬底表面，其中埋氧层作为第一层牺牲层；2)在刻蚀后的衬底和单晶硅表面淀积氧化硅，作为第二层牺牲层；3)根据MEMS器件结构光刻定义氧化硅区域，并对氧化硅进行刻蚀；4)进行光刻，以氧化硅和光刻胶作双层掩膜，刻蚀器件层单晶硅的隔离槽；5)去除光刻胶，以氧化硅为掩膜刻蚀制作凸点槽和锚点槽；6)淀积第二层结构层，并进行刻蚀以形成MEMS器件结构；7)制作通孔和引线；8)去掉牺牲层，释放器件结构。
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