[发明专利]低功耗SRAM单元电路结构

摘要

本发明公开了一种低功耗SRAM单元电路结构，包括由四个MOS管构成的锁存器，所述锁存器两侧为门控管，锁存器一端通过一写字线管连接电源，另一端通过一反信号管接地。存储数据的读取通过两个额外的下拉管来完成。本发明电路简单，控制容易。整个电路工作电压可以降低到和普通数字逻辑电路完全一样，从而大大减小工作功耗。对SRAM写电路的驱动能力要求降低，可以简化相关电路设计。对SRAM读电路的灵敏放大器（sense amplifier）要求降低，可以简化相关电路设计。

主权项

一种低功耗SRAM单元电路结构，其特征在于：包括由四个MOS管构成的锁存器（1），所述锁存器（1）两侧为门控管（2），锁存器（1）一端通过一写字线管（5）连接电源，另一端通过一反信号管（6）接地;还包括第一读取管（3）、第二读取管（4），所述第二读取管（4）接地，第二读取管（4）栅极连接于所述一侧的门控管（2）与锁存器（1）之间，所述第一读取管的栅极连接于读字线RWL上，第一读取管的漏极连接于读位线RBL上。