[发明专利]多层式掩模

摘要

本发明首先涉及到一种在CVD反应器(1)的处理室(2)中的能放置在基材(13)上的掩模(3)，在处理室中在支承至少一个基材(13)的基座(14)的上方形成竖直的温度梯度，所述掩模具有掩模体(4)，其高度维度(H)比其平面维度延伸小很多，并具有至少一个窗口(5)，所述窗口的边缘(6)决定了沉积在基材(13)上的层(15)的边缘(16)。为了改善特别是在边缘区域内的层生长的质量，建议掩模体(4)在高度维度方向(H)上具有互相重叠的层(7、8、9、10)并且在高度维度方向(H)上具有比在平面维度方向上更小的导热性。此外本发明还涉及该掩模的应用。

主权项

1.一种在化学气相沉积反应器(1)的处理室(2)中能放置在基材(13)上的掩模(3)，在所述处理室中，在支承至少一个基材(13)的基座(14)的上方形成竖直的温度梯度，所述掩模具有掩模体(4)，所述掩模体的高度维度(H)比其平面维度小很多，并具有至少一个窗口(5)，所述窗口的边缘(6)决定了沉积在所述基材(13)上的层(15)的边缘(16)，其中，所述掩模体(4)在高度维度方向(H)上具有互相重叠的层(7、8、9、10)，并且在高度维度方向(H)上具有比在平面维度方向上更小的导热性，其中，在直接互相重叠放置的层(7、8、9、10)之间设有自由空间(22)，所述自由空间减少所述直接互相重叠放置的层之间的热传递，其特征在于，所述直接互相重叠放置的层(7、8、9、10)仅仅部分地在岛状的接触区上接触，并且在所述接触区之间形成自由空间(22)，其中所述窗口(5)的边缘(6)由放置在基材(13)上的密封部件(12)构成，所述密封部件(12)是有弹性的密封型材件，所述密封部件借助区段贴靠在基材表面上，与位于最上方的层(7)相邻，并且在窗口(5)的整个轮廓上延伸。