[发明专利]采用后端CMOS工艺三维光电集成的方法在审
| 申请号： | 201410192668.0 | 申请日： | 2014-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103956340A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 黄北举;张赞;张赞允;陈弘达 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8249 | 分类号： | H01L21/8249 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种采用后端CMOS工艺三维光电集成的方法，包括如下步骤：步骤1：提供CMOS集成电路芯片；步骤2：在CMOS集成电路芯片上表面制备二氧化硅层；步骤3：对二氧化硅层进行平坦化处理；步骤4：在二氧化硅层上表面制备光电器件层，并在此层制备光电器件；步骤5：在光电器件层的表面向下刻蚀多个通孔，并在通孔中填充金属，与CMOS集成电路芯片上的电极接触，完成电学互连；步骤6：在光电器件层的表面淀积金属，制备电极，完成制备。本发明的工艺温度控制在400℃以下，可以防止因工艺温度过高导致的集成电路芯片失效。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 后端 cmos 工艺 三维 光电 集成 方法 | ||
【主权项】：
一种采用后端CMOS工艺三维光电集成的方法，包括如下步骤：步骤1：提供CMOS集成电路芯片；步骤2：在CMOS集成电路芯片上表面制备二氧化硅层；步骤3：对二氧化硅层进行平坦化处理；步骤4：在二氧化硅层上表面制备光电器件层，并在此层制备光电器件；步骤5：在光电器件层的表面向下刻蚀多个通孔，并在通孔中填充金属，与CMOS集成电路芯片上的电极接触，完成电学互连；步骤6：在光电器件层的表面淀积金属，制备电极，完成制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
