[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410193158.5 | 申请日： | 2014-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN105097656B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，所述方法包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成有第一金属互连层，在所述半导体衬底表面形成有层间介电层；在所述层间介电层中形成用于形成第二金属互连层的开口，所述开口底部位于所述第一金属互连层上；在所述层间介电层表面以及所述开口内的侧壁和底部沉积形成无定形硅层；对所述无定形硅层进行热处理，以形成位于所述第一金属互连层露出的表面上的金属硅化物层；采用氮气或者氨气处理所述无定形硅层和所述金属硅化物层,以形成介电衬垫层和金属盖帽层；在所述开口内以及所述层间介电层表面形成金属层。根据本发明的方法为器件提供了较低的线电阻和良好的电迁移性能，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成有第一金属互连层，在所述半导体衬底表面形成有层间介电层；在所述层间介电层中形成用于形成第二金属互连层的开口，所述开口底部位于所述第一金属互连层上；在所述层间介电层表面以及所述开口内的侧壁和底部沉积形成无定形硅层；对所述无定形硅层进行热处理，以形成位于所述第一金属互连层露出的表面上的金属硅化物层；采用氮气或者氨气处理所述无定形硅层和所述金属硅化物层,以形成介电衬垫层和金属盖帽层；在所述开口内以及所述层间介电层表面形成金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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