[发明专利]具有合适原子分布的I‑III‑VI2化合物吸收件的光伏器件制造方法

摘要

一种形成光伏器件的吸收层的方法，其包括在衬底的之上形成金属前体层；以及将含硫前体沉积到金属前体层上。该方法还包括在沉积含硫前体的步骤之后将含硒前体沉积到金属前体层上。本发明还提供了具有合适原子分布的I‑III‑VI2化合物吸收件的光伏器件制造方法。

主权项

一种用于形成光伏器件的吸收层的方法，包括：在衬底的之上形成金属前体层；在300℃～550℃范围内的第一温度下，将含硫前体沉积到所述金属前体层上；以及在沉积所述含硫前体的步骤之后，将含硒前体沉积到所述金属前体层上，其中，将含硒前体沉积到所述金属前体层上的步骤包括：在25℃～350℃范围内的第二温度下沉积所述含硒前体；以及在不同于所述第二温度的400℃～600℃范围内的第三温度下沉积所述含硒前体，从而使得所制得的吸收层的底面不包括硫，并且所述吸收层的上表面上的硫与硒和硫的总量的原子比例介于0.1至1.0的范围内。