[发明专利]AlGaN-GaN异质结欧姆接触制作方法

摘要

本发明公开了一种AlGaN-GaN异质结欧姆接触制作方法。主要解决现有技术接触电阻大、工艺复杂、成本高的问题。其制作过程为：1)在铝镓氮/镓氮异质结表面进行光刻，得到欧姆电极区上带有若干通孔的刻蚀掩膜，这些通孔露出的面积之和为欧姆电极面积的15％～45％；2)在掩膜通孔露出的铝镓氮材料上进行深度为5～15nm的刻蚀挖孔；3)在挖有孔的源、漏区铝镓氮/镓氮材料上淀积钛/铝/镍/金多层金属；4)对淀积电极金属进行800～870℃退火，形成源、漏欧姆接触电极。本发明具有工艺简单易控制、欧姆接触电阻低的优点，可用于制作高工作效率、高增益的铝镓氮/镓氮异质结高频大功率高电子器件。

主权项

一种AlGaN‑GaN异质结上欧姆接触制作方法，包括如下步骤：(1)对AlGaN/GaN材料进行清洗；(2)在清洗后的AlGaN/GaN材料表面的源、漏欧姆电极区进行光刻，制作带有很多通孔的光刻胶掩膜，这些通孔的面积之和为欧姆接触电极总面积的15％～45％；通孔中露出AlGaN材料；(3)利用干法刻蚀对光刻胶掩膜通孔中露出的AlGaN材料进行刻蚀，得到源、漏欧姆电极区挖有很多孔的AlGaN材料，挖孔深度为5～15nm；刻蚀完成后去除光刻胶掩膜；(4)在挖孔的整个源、漏欧姆电极区域的AlGaN材料之上，淀积Ti/Al/Ni/Au多层金属，并进行800～870℃退火30～60s，形成源、漏欧姆接触电极。