[发明专利]石墨烯电极的制备方法有效
| 申请号： | 201410193631.X | 申请日： | 2014-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN104157560B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 杨连乔;冯伟;王子兴;张建华 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙)31205 | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯电极的制备方法，包括如下步骤a.将基片进行亲水处理；b．在基片上初步制备石墨烯电极层，使初步制备的石墨烯电极层与基片之间依靠范德华力结合在一起；c．对石墨烯电极层进行酸处理，获得石墨烯含氧基团，进而使石墨烯电极层与基片之间通过化学键强化结合，从而形成石墨烯电极。本发明使石墨烯与基片通过化学键结合，有效的改善了石墨烯与衬底粘附不良和易分离脱落的问题，提高了石墨烯和衬底间的粘附性与电荷传输特性，从而保证所制备的光电器件的性能，提高光电器件制备的良品率，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：a. 将基片进行亲水处理；b．在基片上初步制备石墨烯电极层，使初步制备的石墨烯电极层与基片之间依靠范德华力结合在一起；c．对在上述步骤b中制备的石墨烯电极层进行酸处理，获得石墨烯含氧基团，进而使石墨烯电极层与基片之间通过化学键强化结合，从而形成石墨烯电极；其中，通过控制酸的配方、浓度和酸处理时间，实现对石墨烯含氧基团含氧集团数量的控制，使石墨烯含氧基团的比例为1%‑20%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
